產品介紹

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MP8699B是一款MOSFET驅動器，專用于驅動半橋或同步應用中的增強型氮化鎵 (GaN) MOSFET或具有低柵極電壓的 N 溝道 MOSFET。 該器件具有獨立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脈寬調制 (PWM) 輸入。

MP8699B采用自舉 (BST) 技術提供 HS-FET 驅動器電壓，并可在高達 100V 的電壓下工作。BST充電技術將HS-FET 驅動器電壓保持在 VCC 電壓以下，從而防止柵極電壓（VGATE）超過增強型 GaN MOSFET 的最大柵源電壓（VGS） 額定值。

MP8699B 具備兩個獨立的柵極，通過增加柵極環路的阻抗，實現獨立的 MOSFET 導通和關斷速度控制。

MP8699B 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封裝。

產品特性和優勢

獨立的高端 (HS) 與低端 (LS) 邏輯輸入

高端MOSFET（HS-FET）浮動偏置電壓軌工作電壓高達 100 VDC

可調節導通與關斷速度控制的獨立柵極輸出

4.5V 至 5.5V VCC  范圍

0.2Ω 下拉電阻、1.3Ω 上拉電阻

快速傳播時間（通常為 17ns）

出色的傳播延遲匹配（通常為 1.5ns）

采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封裝