隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向微小化、高集成化方向發(fā)展，芯片的質(zhì)量把控成為了決定產(chǎn)品性能與可靠性的核心因素。從芯片的設(shè)計藍圖到最終成品，每一個環(huán)節(jié)都容不得半點疏忽。

然而芯片尺寸持續(xù)縮小，且結(jié)構(gòu)復(fù)雜度顯著提升，給檢測工作帶來了巨大挑戰(zhàn)，為滿足現(xiàn)代芯片大規(guī)模、高精度的生產(chǎn)需求，華漢偉業(yè)提供了高效精準的檢測方案。

芯片IC Socket外觀檢測

檢測項目

檢測IC Socket引腳浮高、位置度、共面度、外觀缺陷等

檢測難點

1、復(fù)雜物理結(jié)構(gòu)帶來的檢測挑戰(zhàn)：IC Socket通常具有高密度引腳陣列、多層接觸結(jié)構(gòu)，以及三維空間中的形變風險（如引腳共面度偏差），需通過高分辨率成像捕捉微小缺陷，同時需分析三維形變（如引腳彎曲、接觸點錯位）。

2、材料多樣性與光學干擾：金屬引腳、鍍層表面的鏡面反射易導(dǎo)致圖像過曝或反光區(qū)域特征丟失；塑料基座的復(fù)雜曲面可能形成陰影，掩蓋裂紋、縮水等缺陷，需通過多角度環(huán)形光源、偏振光技術(shù)或動態(tài)調(diào)光消除反光影響。

相機選型

華漢偉業(yè)多投影結(jié)構(gòu)光3D相機VS2040

檢測結(jié)果

檢測精度可實現(xiàn)≥0.01mm，漏殺率0，過殺率≤0.2%

IC芯片高度/尺寸六面檢

檢測項目

檢測芯片的3D形狀、芯片高度、上下表面尺寸 、段差、平面度等，確保芯片的各個面都能被準確測量。

檢測難點

1、高精度要求：芯片集成度極高，檢測需達到微米級精度，傳統(tǒng)2D視覺難以滿足

2、復(fù)雜表面特性：芯片表面存在高反光、低對比度區(qū)域（如金屬引腳、鏡面材質(zhì)），影響成像質(zhì)量。

相機選型

華漢偉業(yè)多投影結(jié)構(gòu)光3D相機VS2020

檢測結(jié)果

檢測精度：5um，像素精度為0.009mm/Pixel，實現(xiàn)漏殺率0、過殺率≤0.3%的精準檢測。

華漢自研的3D結(jié)構(gòu)光相機VS2000系列在復(fù)雜工業(yè)檢測場景中展現(xiàn)出卓越性能，其核心優(yōu)勢源于多重技術(shù)創(chuàng)新。相機采用雙投影儀光路設(shè)計，有效減少物體表面打光死角，攻克傳統(tǒng)視覺系統(tǒng)的圖像采集盲區(qū)難題，尤其對暗色、反光物體具備良好適應(yīng)性，可在強光、背光等復(fù)雜光照環(huán)境下穩(wěn)定獲取高質(zhì)量圖像。

搭配高性能 CMOS傳感器與專用ISP算法，滿足高速產(chǎn)線的檢測效率需求。同時，相機支持單幀 HDR 與多幀曝光融合技術(shù)，動態(tài)范圍覆蓋更廣，無論是高亮反光的金屬引腳還是低對比度的塑料基座表面缺陷，都能清晰捕捉，為精密器件外觀檢測提供兼具精度與穩(wěn)定性的視覺解決方案。

面對芯片結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜、檢測精度要求不斷攀升的挑戰(zhàn)，華漢偉業(yè)自主研發(fā)的高精度檢測方案，通過先進的多投影結(jié)構(gòu)光相機與智能算法協(xié)同，在半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，如晶圓制備、刻蝕、光刻、清洗等均有深度覆蓋，精準攻克技術(shù)難點，實現(xiàn)了檢測精度與效率的雙重突破。