中國上海，2023年8月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款2200V產品。

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。

東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。

• 應用：

工業設備

-可再生能源發電系統（光伏發電系統等）

-儲能系統

-工業設備用電機控制設備

-高頻DC-DC轉換器等設備

• 特性：

-低漏極-源極導通電壓（傳感器）：

VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）

-低開通損耗：

Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

-低關斷損耗：

Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

-低寄生電感：

LsPN＝12nH（典型值）

• 主要規格：

注：

[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數據基于東芝截至2023年8月的調研。

[2] 測量條件：ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃

[3] 測量條件：VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃

[4] 截至2023年8月，東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較（2300V Si模塊的性能值是東芝根據2023年3月或之前發表的論文做出的預估）。

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：

MG250YD2YMS3

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html

如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息，請訪問以下網址：

碳化硅功率器件

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html

*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。

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