TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導通電阻的器件減小65 %。

日前發布的TrenchFET? 第四代功率MOSFET典型導通電阻比市場上排名第二的產品低20 %，FOM比上一代解決方案低17 %。這些指標降低了導通和開關損耗，從而節省能源。外形緊湊的靈活器件便于設計師取代相同導通損耗，但體積大的MOSFET，節省PCB空間，或尺寸相似但導通損耗高的MOSFET。 

SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓撲結構原邊開關和同步整流，包括通信設備、計算機外設、消費電子； 筆記本電腦、LED電視、車輛船舶LED背光；以及GPS、工廠自動化和工業應用電機驅動控制、負載切換和功率轉換。

器件經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

SiSS94DN現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周。

VISHAY簡介

Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一，這些產品對于汽車、工業、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。